- 三星电子和SK海力士2024年二季度业绩均超预期,受益于存储芯片需求强劲,尤其是HBM和DDR5产品。
- 三星预计HBM3E将在2024年下半年加速量产,推动存储业务收入大幅增长;SK海力士也加大HBM产能扩张,预计24H2将持续高速增长。
- 传统DRAM和NAND存储价格保持上涨,但因产能向高端产品转移,供给可能受限,影响传统存储的营收增速。
核心要点2三星和SK海力士的业绩超出预期,主要受益于存储芯片需求增加和价格上涨。
24Q2,三星DRAM和NAND价格环比双位数增长,HBM3E加速量产,预计24H2业绩将继续增长。
SK海力士24Q2传统存储DRAM和NAND持续涨价,HBM3E加速出货,预计24H2HBM业务收入将持续高速增长。
AI服务器需求、存储扩容趋势和高端产品需求推动了两家公司的业绩增长。
风险提示包括HBM扩产不及预期、AI服务器需求放缓和行业竞争加剧。
投资标的及推荐理由投资标的:三星电子(005930.KS)和SK海力士(000660.KS) 推荐理由:三星电子24Q2业绩超预期,存储周期持续上行,HBM3E加速量产,AI服务器需求驱动高端产品增长,预计HBM、DDR5和SSD营收持续高速增长,成为公司内存业务主要增长驱动力。
SK海力士24Q2业绩超预期,传统存储DRAM和NAND持续涨价,HBM3E加速量产,预计HBM营收持续高速增长,同时看好AI手机和AIPC上市驱动存储扩容、提振需求。